特許

J-GLOBAL ID：200903072825452776

高純度金属材の製造方法、スパッタターゲットの製造方法および配線網の形成方法

発明者： 石上 隆 ,  河合 光雄 ,  小畑 稔 ,  佐藤 道雄 ,  山野辺 尚 ,  牧 利広 ,  安藤 茂 ,  八木 典章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185142
公開番号（公開出願番号）：特開平8-060350
出願日： 1991年02月12日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】【課題】 高集積化された半導体素子の電極やコンタクト部の形成にあたっては接合リーク等の発生を防止することが可能で、またバリヤ層の形成にあたってはその機能低下を防止することが可能な高純度金属材が求められている。【解決手段】 Ti、ZrおよびHfから選ばれた 1種の金属からなる高純度金属材の製造方法であって、まず上記金属を主とする粗金属材をヨウ化物分解法によって精製する。あるいは、溶融塩電解法で得られた上記金属を主とする粗金属材に対して表面処理を施し、粗金属材表面に存在する汚染層を除去する。この後、上記精製された金属材あるいは表面処理が施された粗金属材を、高真空下で電子ビーム溶解する。

請求項（抜粋）：

チタン、ジルコニウムおよびハフニウムから選ばれた 1種の金属を主とする粗金属材をヨウ化物分解法によって精製する工程と、この精製された金属材を高真空下で電子ビーム溶解する工程とを有することを特徴とする高純度金属材の製造方法。

IPC (9件)：

C23C 14/34 ,  C22B 34/12 103 ,  C22B 34/14 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 14/00 ,  C22C 16/00 ,  C22C 28/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-358030
  
• 特開平2-213490
  
• 特開平3-177594