特許
J-GLOBAL ID:200903072828381411

半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-035703
公開番号(公開出願番号):特開2004-247514
出願日: 2003年02月13日
公開日(公表日): 2004年09月02日
要約:
【課題】半導体素子が作動する際に発する熱を大気中に効果的に放散できない。【解決手段】半導体素子11の搭載部を有する放熱部材1と、その上面に取着された、配線導体6を有する絶縁枠体5と、放熱部材1と絶縁枠体5とからなる凹部5aに半導体素子11を封止する封止樹脂10が注入される半導体素子収納用パッケージ8であって、放熱部材1は、タングステンまたはモリブデンと銅とのマトリクスから成る枠状の基体2の中央部に銅から成る貫通金属体3が埋設されているとともに、それらの上下面に銅層4が接合されており、貫通金属体3は、上面の大きさが半導体素子11の大きさと同等であり、下面が上面より大きくなっている。放熱部材1の熱伝導が良好であるため、半導体素子11の発した熱を外部や大気中に良好に放散させることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
上面の中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する平板状の放熱部材と、該放熱部材の上面に前記搭載部を取り囲んで取着された、前記搭載部周辺から外表面に導出される複数の配線導体を有する絶縁枠体とを具備し、前記放熱部材と前記絶縁枠体とからなる凹部に前記半導体素子を封止する封止樹脂が注入される半導体素子収納用パッケージであって、前記放熱部材は、タングステンまたはモリブデンと銅とのマトリクスから成る枠状の基体の中央部の上面から下面にかけて銅から成る貫通金属体が埋設されているとともに、前記基体および前記貫通金属体の上下面を覆ってそれぞれ銅層が接合されており、前記貫通金属体は、上面の大きさが前記半導体素子の大きさと同等であり、下面が前記上面より大きいことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (8件):
H01L23/34 ,  H01L21/56 ,  H01L23/06 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373
FI (7件):
H01L23/34 A ,  H01L21/56 R ,  H01L23/06 B ,  H01L23/28 K ,  H01L23/36 C ,  H01L23/36 M ,  H01L23/30 R
Fターム (11件):
4M109AA01 ,  4M109CA05 ,  4M109DB03 ,  4M109DB10 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01 ,  5F036BE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA05

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