特許
J-GLOBAL ID：200903072832796359
半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267626
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120229
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体部品1における電極パッド2に対して、金をベースとするバンプ電極8を、前記半導体部品1にヒロックを成長することなく、低コストで形成する。【構成】 半導体部品1における電極パッド2に対して、金粒子を主成分とする金ペーストに銀粒子を添加した銀混合の金ペースト6を、スクリーンマスク4を使用したスクリーン印刷にて塗着したのち、400°C以下の温度で加熱・焼成する。
請求項（抜粋）：
半導体部品における電極パッドに、金粒子を主成分とする金ペーストに粒径1ミクロン以下の銀粒子を混合するか粒径1ミクロン以下の銀粒子を主成分とする銀ペーストを混合して成る銀混合の金ペーストを、前記電極パッドの部分に抜き窓を備えたスクリーンマスクを使用したスクリーン印刷にて塗着したのち、400°C以下の温度で加熱・焼成することを特徴とする半導体部品におけるバンプ電極の形成方法。
引用特許：
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