特許

J-GLOBAL ID：200903072833042315

臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法

発明者： 北口 博司 ,  雨宮 健介 ,  横井 一磨 ,  上野 雄一郎 ,  土屋 一俊 ,  柳田 憲史 ,  小嶋 進一 ,  庄司 忠良 ,  人見 啓太朗 ,  松本 義一 ,  皆見 和宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  応用光研工業株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027090
公開番号（公開出願番号）：特開2005-219941
出願日： 2004年02月03日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 単結晶内の格子欠陥を減少できる臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法は、臭化第一タリウムの原料の純化工程(ステップS5〜ステップS10)、純化された臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程(ステップS14〜ステップS17)、及び3価のタリウム(例えばTlBr3)を含む臭化第一タリウムの単結晶を生成する単結晶生成工程(ステップS18〜ステップS20)を備えている。富化工程で臭化第タリウムに臭素を付加するため、格子欠陥の少ない臭素リッチな臭化第一タリウムの単結晶を製造することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

臭化第一タリウムの原料を純化する純化工程と、 純化された前記臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程と、 前記富化工程で得られた前記臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する単結晶生成工程と、 を備えたことを特徴とする臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/12 ,  C30B11/00

FI (2件)：

C30B29/12 ,  C30B11/00 C

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BE01 ,  4G077CD02 ,  4G077EC01 ,  4G077EC07 ,  4G077EG02 ,  4G077MA02 ,  4G077MB04