特許

J-GLOBAL ID：200903072833439142

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者： 渡部 信一 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349671
公開番号（公開出願番号）：特開平9-169599
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、電気特性および光学特性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供するものである。【解決手段】 少なくとも半導体層を成長させる表面がII族元素の酸化物からなる基板を用いる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長法において、少なくともII族元素の酸化物の直上に気相成長させる際の雰囲気ガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体層を成長させる表面がII族元素の酸化物からなる基板を用いる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長法において、少なくともII族元素の酸化物の直上に気相成長させる際の雰囲気ガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18