シリコン酸化物とポリシリコンを同時にエッチングするためのエッチングガス組成物、これを利用したエッチング方法およびこれを利用した半導体メモリ装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177228
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102366
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング用ガス組成物、エッチング方法およびキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。半導体基板上に絶縁層を形成する段階と、第1導電層を形成する段階と、シリコン酸化物で構成された保護層を形成する段階と、絶縁層の上部が露出されるまで保護層と第1導電層とをエッチバックして各セルの単位に限定された第1導電層パターンを形成する段階と、保護層の残留物と絶縁層とを除去する段階と、第1導電層パターン上に誘電体層と第2導電層とを形成してキャパシタを完成する段階とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ポリシリコンとシリコン酸化物とを同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとからなるドライエッチング用ガス組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/302 L , H01L 21/302 F , H01L 27/10 621 C

Fターム (18件)：

5F004AA11 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA25 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004EA27 , 5F004EA32 , 5F004EB08 , 5F083AD10 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD62 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-165622
特開平2-165622
特開昭58-060611

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