不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土屋勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116119
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】一つのメモリセルに2ビットのデータを記憶させ且つメモリセル面積を縮小させて、ビット当たりの単価を大幅に低減させる。【解決手段】制御ゲートとしての多結晶Si膜43のうちでワード線としてのAl膜56の延在方向における両側に、一対の浮遊ゲートとしての多結晶Si膜46、47が設けられており、その側方にソース/ドレイン拡散層53、54が設けられている。一つのメモリセル33b中の一対のメモリトランジスタ35、36の各々に対して独立に書込み及び読出しを行うことが可能であり、且つ、所謂コンタクトレス型のメモリセル構成を実現することができる。

請求項（抜粋）：

制御ゲートのうちでワード線の延在方向における両側に一対の浮遊ゲートが設けられており、半導体基板のうちで前記浮遊ゲートの前記制御ゲートとは反対側にソース/ドレイン拡散層が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-109367
特開平2-213163
特開昭62-109367

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