特許
J-GLOBAL ID：200903072841724565
半導体実装基板用素子接合構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299999
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162563
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 多層配線基板、半導体パッケージ、ガラスセラミックを用いた絶縁基板等のLSIを実装する半導体装置において、低コストで作製可能で、かつ高強度な入出力ピンやリードの接合を有する半導体装置実装用の基板を提供する。【構成】 半導体実装基板1上の素子接合パッドにおいて、キャビティー2内部に薄膜メタライズ2を設けたことを特徴とする素子接合パッド構造を構成し、半田あるいはろう材4によりコバールピン6等の部品を接合することを特徴とする。半導体実装基板1としては低温焼結ガラスセラミック等の比較的機械的強度の低いものでも使用可能であり、素子接合パッドをキャビティー内の薄膜メタライズとすることで低コストで高強度なガラスセラミックと金属あるいはろう材から成る入出力部品との接合体を得ることができる。
請求項（抜粋）：
低温焼結基板と入出力ピンもしくはリードとの接合構造であって、前記入出力ピン及びリードは金属あるいは合金よりなり、前記低温焼結基板は側面及び底面に薄膜メタライズを有する独立したキャビティーを有し、前記薄膜メタライズと入出力ピンもしくはリードは半田あるいはろう材により接続されていることを特徴とする半導体実装基板用素子接合構造。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/15
, H05K 1/18
H01L 23/12 P
, H01L 23/14 C
