特許

J-GLOBAL ID：200903072845339682

半導体レーザ駆動回路

発明者： 中村 彰宏
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152660
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 消光期間中に、雑音等により半導体レーザが発光してしまうことを防止する。【構成】 1対のFETQ1 、Q2 により構成された差動増幅回路Aと、半導体レーザLDおよび1対のFETQ3 、Q4により構成されたスイッチ回路Bと、1対のFETQ5 、Q6 により構成され、差動増幅回路Aをバイパスする付加電流路i5 を含む切替回路Cとを備え、制御信号により、差動増幅回路Aに供給される電流を付加電流路i5 にバイパスさせ、差動増幅回路Aからスイッチ回路Bに供給される駆動信号が発生しないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

相補的な入力信号の一方を制御端子に受け一端を高電圧側に接続され他端を第1電流源側に接続された第1FETと、該入力信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側に接続され他端を該第1FETの該他端と共通に該第1電流源側に接続された第2FETとを含む差動増幅回路と、該差動増幅回路が出力する相補的な駆動信号の一方を制御端子に受け一端を半導体レーザを介して高電圧側に接続され他端を第2電流源に接続された第3FETと、該駆動信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側に接続され他端を該第3FETの該他端と共通に該第2電流源に接続された第4FETとを含むスイッチ回路とを具備する半導体レーザ駆動回路において、更に、相補的な制御信号の一方を制御端子に受け一端を該差動増幅回路の該第1電流源側に接続され他端を該第1電流源に接続された第5FETと、該制御信号の他方を制御端子に受け、一端を該第1FETの高電圧側端子に接続され他端を該第5FETと共通に該第1電流源に接続された第6FETとを含む切替回路を備え、該制御信号により該第6FETを導通状態とし且つ該第5FETを非導通状態として、該差動増幅回路が該スイッチ回路に対して該駆動信号を出力しなくなるように構成されていることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。