特許

J-GLOBAL ID：200903072850854552

電子ビーム描画方法

発明者： 太田 洋也 ,  松坂 尚 ,  斉藤 徳郎 ,  奥村 正秀 ,  岡崎 信次 ,  河野 利彦 ,  河崎 勝浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305927
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144715
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【構成】任意形状図形ビームを周囲に対して電子反射率または二次電子放出率の大きい微粒子12上をスキャンさせ、反射もしくは二次電子強度信号からビームのエッジ座標を検出し、検出したビームエッジ座標から、ビームの寸法、回転および歪を検出する。また、投影レンズ系の回転及び投影倍率を誤差範囲内に調整した後、予め接続方向の片側に投影倍率で規定される寸法より倍率設定誤差以上に長く設けた任意形状開口を持つアパーチャ板6の開口部上で、パターン選択用の矩形開口を持つアパーチャ板2で形成される試料上での接続方向に垂直な辺をもつ矩形電子ビームを成形偏向器4により電子光学的に移動させて、試料上での任意形状ビームの寸法を微調整する。【効果】任意図形ビームの回転および寸法を検出補正して、繰り返しパターンを精度良く描画することができる。

請求項（抜粋）：

描画パターンに繰り返し現れる図形を、一括して描画するための任意形状の開口パターンをもったアパーチャ板と、前記アパーチャ板より電子ビーム発生源側に設けられたパターン選択用のアパーチャ板を具備して、前記開口パターンの形状の電子ビームを試料上に照射して描画する電子ビーム描画装置において、前記開口パターンの形状の電子ビームを、周囲と相対的に反射電子または二次電子の放出率の大きい微粒子を持つ基準マーク上で複数回スキャンし、前記反射電子もしくは二次電子の強度信号からビームのエッジ座標を検出して、前記任意形状開口パターンの設計値と比較することによって、任意形状の電子ビームの寸法もしくは形状の歪もしくは描画の基準座標に対しての回転を検出することを特徴とする電子ビーム描画方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01J 37/305

FI (2件)：

H01L 21/30 341 E ,  H01L 21/30 341 Q