電子放出素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志村浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203749
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】安定した電子放出が可能な電子放出素子の製造方法を提供する。【構成】 (a) ガラス基板11上に配線層12、絶縁層13、電極層14を形成し、レジスト層15をマスクとしたエッチングを行い、絶縁層13aおよび引出電極14aを形成する。この上に、導電性材料を堆積し、電極層16a,16bを形成する。(b) レジスト層15を剥離して電極層16aを除去する。(c) 電極層16bの上にレジスト層17を形成し、電極層16bの側部をエッチング除去する。(d) 冷陰極16cと引出電極14aとの間に間隙が確保でき、電子放出素子が完成する。

請求項（抜粋）：

冷陰極と引出電極とを備え、引出電極によって冷陰極から電子を引き出してこれを陽極へと放出させる電子放出素子、を製造する方法において、基板上に冷陰極への配線を行うための第1の導電層を形成し、この第1の導電層の上に絶縁層を形成し、この絶縁層の上に引出電極を構成するための第2の導電層を形成する段階と、前記第2の導電層の上に第1のレジスト層を形成し、このレジスト層の冷陰極形成領域に対応する位置に開口部を設けるパターニングを行い、パターニングされた第1のレジスト層をマスクとして用い、前記第2の導電層の一部および前記絶縁層の一部をエッチング除去する段階と、基板全面に、冷陰極を構成するための第3の導電層を堆積させ、前記第1のレジスト層を前記第2の導電層から剥離することにより、前記第3の導電層の前記冷陰極形成領域以外の部分を除去する段階と、除去されずに残った前記第3の導電層の上面の、前記冷陰極形成領域よりも小さな領域に、第2のレジスト層を形成し、この第2のレジスト層をマスクとして用い、前記第3の導電層の側部をエッチング除去する段階と、を有し、残った前記第2の導電層を引出電極、残った前記第3の導電層を冷陰極、として電子放出素子を構成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

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