特許
J-GLOBAL ID：200903072854040339
積層配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-151647
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003254
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】微細な接続孔(コンタクトホール、ビアホール)に確実にメタルプラグを形成でき、かつ寿命を延長し得る積層配線を形成する。【構成】接続孔3に埋め込むメタルプラグ5aと上層配線の形成において、メタルプラグ5aと上層配線の形成に高温スパッタを一部使用し、しかも上層配線として延命バリアメタル膜6と延命メタル層7の積層構造の配線を形成する。
請求項（抜粋）：
下層配線上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜中に前記下層配線に達する開孔を形成し、該開孔に前記下層配線と後に形成される上層配線との電気的接続をとるためのメタルプラグと、前記上層配線を形成する配線形成方法において、前記上層配線の少なくとも一部をエッチバックする工程と、前記エッチバック後に、更に異種の金属あるいは合金層からなる金属積層の上層配線を積層する工程を含み、前記メタルプラグと上層配線の成膜方法としては高温スパッタ法をそれぞれ含むことを特徴とする積層配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
