特許
J-GLOBAL ID:200903072862452786

ダイオ-ドレ-ザ-素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 武久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-134768
公開番号(公開出願番号):特開平11-346031
出願日: 1999年05月14日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】担持体と最大熱伝導能がある基体から構成され、延べ棒状のレーザー体と応力及び湾曲が生じないように結合されるヒートシンクとを備えたダイオードレーザー素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】基体(1)を、レーザー体の幅方向に個々の細条部(1b)を並べて成る細条部体として構成することにより、担持体(2)と面結合している細条部(1b)列の上面のレーザー体(3)取り付け面領域に、25%以下でレーザー体の熱膨張に適合する熱膨張部が生じるようにした。
請求項(抜粋):
延べ棒状のレーザー体(3)とヒートシンクとを有し、ヒートシンクが担持体(2)を備え、担持体(2)が、高熱伝導能の誘電性基体(1)と面結合するように取付けられるレーザー体(3)の熱膨張係数よりも実質的に大きな熱膨張係数を持った材料から成り、基体(1)の上面に、電流誘導と電気接点用の金属化部分(4a,4b)が設けられ、該金属化部分(4a,4b)上に蝋材(6)を用いてレーザー体(3)が取付けられているダイオードレーザー素子において、基体(1)を、レーザー体の幅方向に個々の部分基体(1b)を並べて成る細条部体として構成することにより、担持体(2)と面結合している部分基体(1b)列の上面のレーザー体(3)取り付け面領域に、25%以下でレーザー体の熱膨張に適合する熱膨張部が生じるようにしたことを特徴とするダイオードレーザー素子。
IPC (2件):
H01S 3/18 614 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01S 3/18 614 ,  H01L 33/00 N

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