特許

J-GLOBAL ID：200903072867502277

ドライエッチング用ガスおよび半導体デバイスの加工方法

発明者： 雨宮 勲
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186741
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015488
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 優れたエッチング特性が得られ、さらに大気中に放出されても環境への影響が極めて小さいドライエッチング用ガス等を提供する【解決手段】 パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはC/F値(フッ素化合物中のC元素とF元素との原子数の比)が0.5より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。

請求項（抜粋）：

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはC/F値(フッ素化合物中のC元素とF元素との原子数の比)が0.5より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C09K 13/08

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  C09K 13/08

Fターム (14件)：

5F004AA00 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EB03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-170027
  
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-085575   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-170027