特許
J-GLOBAL ID:200903072870596738

電極構造、それを用いた熱電素子、及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-271946
公開番号(公開出願番号):特開2000-100751
出願日: 1998年09月25日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】【課題】 製造工程数、時間がかからず、しかも、低抵抗で且つ熱電導性に優れた電極構造及びそれを用いた熱電素子、その製造方法を得る。【解決手段】 熱電素子は、二つのCu製の電極1,2と、電極1上にNiシート6を介して設けられるn型SiC半導体バルク4と、電極2上にAlシート8を介して設けられるp型SiC半導体バルク5と、半導体バルク4及び5上に、それぞれNiシート7及びAlシート9を介して、設けられる一つのCu製金属電極3とを備えて構成される。
請求項(抜粋):
電極と半導体とを接続する電極構造において、前記電極と前記半導体との間に、前記電極と前記半導体との電気的接合を行う導電性のキャリア供給材を介在させてなる電極構造。
IPC (2件):
H01L 21/28 301 ,  H01L 35/32
FI (2件):
H01L 21/28 301 F ,  H01L 35/32 A
Fターム (9件):
4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104DD77 ,  4M104FF13 ,  4M104GG01 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20

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