特許
J-GLOBAL ID：200903072874732121
半導体装置の製法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249893
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104252
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 窒化酸化膜を形成する際の再酸化処理温度の低減を図る。【構成】 半導体基板上に熱酸化処理で形成した熱酸化膜を窒化処理及び再酸化処理して窒化酸化膜を形成する工程において、再酸化処理をN2 O雰囲気中で行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に熱酸化処理で形成した熱酸化膜を窒化処理及び再酸化処理して窒化酸化膜を形成する工程において、上記再酸化処理をN2 O雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の製法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
