特許

J-GLOBAL ID：200903072875407941

貼り合わせウェーハの製造方法

発明者： 奥田 秀彦 ,  草場 辰己
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (3件)： 杉村 興作 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-197844
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028070
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】本発明の目的は、活性層の欠陥の発生を抑制し、膜厚の均一化を図ることのできる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。【解決手段】活性層用ウェーハに、水素またはヘリウム等の軽元素イオンを所定の深さ位置に注入してイオン注入層を形成する工程と、前記活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持基板用ウェーハに貼り合わせる工程と、前記イオン注入層で剥離する工程と、剥離により露出した活性層表面のダメージを減少させるため犠牲酸化を行う第1熱処理工程と、貼り合わせ強度を高める第2熱処理工程とを有する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記第1熱処理工程後、活性層表面に生じる酸化膜を除去することなく、第2熱処理工程を引き続き行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

活性層用ウェーハに、水素またはヘリウム等の軽元素イオンを所定の深さ位置に注入してイオン注入層を形成する工程と、前記活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持基板用ウェーハに貼り合わせる工程と、前記イオン注入層で剥離する工程と、剥離により露出した活性層表面のダメージを減少させるため犠牲酸化を行う第1熱処理工程と、貼り合わせ強度を高める第2熱処理工程とを有する貼り合わせウェーハの製造方法において、 前記第1熱処理工程後、活性層表面に生じる酸化膜を除去することなく、第2熱処理工程を引き続き行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/76 D

Fターム (9件)：

5F032AA91 ,  5F032DA21 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78