特許
J-GLOBAL ID:200903072876913000

積層インダクタおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾股 行雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-245559
公開番号(公開出願番号):特開2001-155938
出願日: 2000年08月14日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 高周波化を図った超小型化対応の積層インダクタを提供する。【解決手段】 電気絶縁層と導体パターンが交互に積層されると共に、各導体パターンの端部が順次接続されて積層方向に重畳したコイル3が形成され、当該コイル3の始端および終端がチップ両端の端子電極4,5に接続されて構成される積層インダクタ1である。ここで、前記端子電極4,5は、チップ側面を除き、コイル3が接続されるチップ端面とチップ下面、あるいはチップ端面とチップ上下面に形成するようにした。係る電極構造においてはコイル3と端子電極間4,5の近接部分を極力減らすことができ、これにより浮遊容量を低減することができる。よって、共振周波数を高くでき、高周波化が図れる。
請求項(抜粋):
電気絶縁層と導体パターンが交互に積層され、各導体パターンの端部が順次接続されて電気絶縁層体(2)中に積層方向に重畳したコイル(3)が形成されると共に、当該コイル(3)の始端および終端が引き出されてチップ両端の端子電極(4,5)に接続された積層インダクタ(1)において、前記端子電極が、チップ側面を除き、前記コイルが接続されるチップ端面とチップ下面、あるいはチップ端面とチップ上下面に形成されていることを特徴とする積層インダクタ。
IPC (3件):
H01F 27/29 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04
FI (3件):
H01F 17/00 D ,  H01F 41/04 C ,  H01F 15/10 C
引用特許:
審査官引用 (8件)
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