特許
J-GLOBAL ID:200903072878251179
半導体集積回路装置の製造方法
発明者:
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,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-344698
公開番号(公開出願番号):特開2002-151664
出願日: 2000年11月13日
公開日(公表日): 2002年05月24日
要約:
【要約】【課題】 リセスの発生を低減し、素子形成領域上に形成されるMISFETのキンク現象の発生を防止でき、リーク電流を低減することができる技術を提供する。【解決手段】 半導体基板1の素子分離領域に形成された溝内に、オゾンおよびテトラエトキシシランを用いた酸化シリコン膜(TEOS膜)を堆積した後、熱処理を施すことにより素子分離(TEOS膜106a)を形成する。その結果、酸化シリコン膜(TEOS膜106a)のエッチング速度を小さくすることができ、リセスの発生を低減することができる。さらに、このような酸化シリコン膜(TEOS膜106a)で囲まれた素子形成領域上にMISFETを形成する場合、キンク現象の発生を防止でき、リーク電流を低減することができる。
請求項(抜粋):
(a)半導体基板の素子形成領域上に、選択的に絶縁膜を形成する工程と、(b)前記絶縁膜をマスクに、前記半導体基板の素子分離領域をエッチングすることによって、前記半導体基板の素子分離領域に溝を形成する工程と、(c)前記半導体基板の素子分離領域および前記素子形成領域上に酸化シリコン膜を形成する工程であって、オゾンとテトラエトキシシランとの反応により酸化シリコン膜を形成する工程と、(d)前記酸化シリコン膜を熱処理する工程と、(e)前記酸化シリコン膜を前記絶縁膜が露出するまで平坦化する工程と、を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (7件):
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/316
, H01L 21/76
, H01L 21/768
, H01L 27/08 331
, H01L 29/78
FI (8件):
H01L 21/316 X
, H01L 21/316 P
, H01L 27/08 331 A
, H01L 27/10 681 D
, H01L 21/76 L
, H01L 21/90 C
, H01L 27/10 621 C
, H01L 29/78 301 R
Fターム (105件):
5F032AA34
, 5F032BA02
, 5F032CA14
, 5F032CA17
, 5F032DA22
, 5F032DA33
, 5F032DA74
, 5F032DA78
, 5F033HH04
, 5F033HH08
, 5F033HH19
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ04
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033LL04
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN40
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ21
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS11
, 5F033TT02
, 5F033TT07
, 5F033VV16
, 5F033WW03
, 5F033WW06
, 5F033XX00
, 5F033XX31
, 5F040DA15
, 5F040DB09
, 5F040EA08
, 5F040EC02
, 5F040EC04
, 5F040EC07
, 5F040EC12
, 5F040EH03
, 5F040EH08
, 5F040EK05
, 5F040FA18
, 5F040FC10
, 5F040FC28
, 5F048AA04
, 5F048AA07
, 5F048AB01
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BB06
, 5F048BB09
, 5F048BB13
, 5F048BE03
, 5F048BF04
, 5F048BG13
, 5F048BG14
, 5F048DA27
, 5F058BA02
, 5F058BD04
, 5F058BF02
, 5F058BF25
, 5F058BF29
, 5F058BH01
, 5F058BH11
, 5F058BJ06
, 5F083AD31
, 5F083GA06
, 5F083JA06
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA05
, 5F083MA02
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR05
, 5F083PR07
, 5F083PR10
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR33
, 5F083PR38
, 5F083PR39
, 5F083PR40
, 5F083PR42
, 5F083PR52
, 5F083ZA12
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