特許

J-GLOBAL ID：200903072885274044

半導体装置

発明者： 原 田 望 ,  中 村 貴 文
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099177
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292808
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 切断対象以外の膜層へのレーザ光による破壊を防止し、新たな画像欠陥や液晶の配向乱れ等の信頼性の低下を防止する。【解決手段】 絶縁基板2上に形成された薄膜トランジスタ3及びこの薄膜トランジスタ3の半導体層7中に形成されたソース領域7sより延在する配線層11と、前記配線層11に接続された蓄積容量電極と、この蓄積容量電極に対し層間絶縁膜10を介して対向配置された蓄積容量配線30と、前記配線層に対し前記層間絶縁膜を介して対向配置された金属反射層22と、を具備する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの半導体層中に形成されたソース領域より延在する配線層と、前記配線層に接続された蓄積容量電極と、前記蓄積容量電極に対し層間絶縁膜を介して対向配置された蓄積容量配線と、前記配線層に対し前記層間絶縁膜を介して対向配置された金属反射層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 343 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 343 Z ,  H01L 29/78 612 A

Fターム (61件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092JB72 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB14 ,  2H092KB23 ,  2H092MA35 ,  2H092MA47 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094EB02 ,  5C094ED11 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA26 ,  5F110AA27 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ30