特許

J-GLOBAL ID：200903072886325416

MOM容量素子

発明者： 渕上 伸隆 ,  松原 宏和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227817
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053408
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【構成】単結晶Al2の電極に極薄の非晶質膜を拡散バリア層3として被覆し、その上に誘電体1と上側電極2′を形成する。【効果】単結晶金属を用いるため電極表面の平滑性が向上し、薄い誘電体を用いた容量素子の漏れ電流が小さくなり、誘電体の膜厚を薄くするので、単位面積当たりの容量を大きくすることができて、素子の微細化も可能となる。

請求項（抜粋）：

下側電極と誘電体と上側電極からなる容量素子において、前記下側電極は単結晶のAl或いは単結晶の貴金属からなる第一の金属層に、遷移金属,高融点金属,高融点金属硅化物,高融点金属窒化物のいずれか一種からなる第二の金属層を厚さ1〜30nmの範囲で重ねた複数層の重ね膜からなり、誘電体は厚さが5〜30nmの高融点金属酸化物からなることを特徴とするMOM容量素子。