特許

J-GLOBAL ID：200903072886947867

薄膜作製方法および薄膜作製装置

発明者： 神馬 仁志 ,  金 瑞元 ,  関口 敦
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229392
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064849
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 窒化チタン薄膜を、良好な被覆性を維持し、ダストの発生を抑え、膜の電気特性が良好であって経時的にも劣化せず化学的にも安定であり、短いスループットで作製できる薄膜作製方法および薄膜作製装置を提供する。【解決手段】 気化したテトラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを気体状態で加熱して化学反応させ、基体上に窒化チタンを主成分とする薄膜を作製する薄膜作製方法であり、窒化チタンを主成分とする素薄膜を基体上に作製する第1の工程と、窒素と水素とアンモニアが選択的に混合されてなる処理ガスの雰囲気下で電子密度が1010個/cm3 以上の高密度プラズマを発生させ、活性化した処理ガスによって素薄膜を改質する第2の工程とからなる。第1の工程に引き続いて第2の工程が行われる。

請求項（抜粋）：

気化したテトラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを気体状態で加熱して化学反応させ、この化学反応によって基体上に窒化チタンを主成分とする薄膜を作製する薄膜作製方法において、前記窒化チタンを主成分とする素薄膜を前記基体上に作製する第1の工程と、窒素と水素とアンモニアが選択的に混合されてなる処理ガスの雰囲気下で電子密度が1010個/cm3 以上の高密度プラズマを発生させ、活性化した前記処理ガスによって前記素薄膜を改質する第2の工程とからなり、前記第1の工程に引き続いて前記第2の工程が行われることを特徴とする薄膜作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/56

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/56

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体素子の金属配線製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-292015   出願人：現代電子産業株式会社
• 窒化チタン膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-005239   出願人：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
• 半導体集積回路装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-338592   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-259073