特許

J-GLOBAL ID：200903072893298696

シリコン系プラズマエッチングに於ける酸素プラズマ照射によるアウトガス防止方法

発明者： 立山 克郎
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167794
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357680
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 シリコン系プラズマエッチングにおいて、プラズマエッチング後にウェハの極表面に形成される反応生成物が大気中の水分との接触によって発生する腐食性ガスを抑制し、且つ、後の剥離工程における反応生成物の除去性を良好に保つことを目的とする。【解決手段】 プラズマエッチング後のウェハ表面に100W,25秒程度の低パワー・短時間の酸素プラズマの照射を行うことにより反応生成物の極表面に酸化物層を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン系プラズマエッチング後のウェハに対して所定の条件で酸素プラズマを照射する工程を有することを特徴とするシリコン系プラズマエッチングに於ける酸素プラズマ照射によるアウトガス防止方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 J ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/88 D

Fターム (33件)：

4M104BB28 ,  4M104DD08 ,  4M104DD65 ,  4M104DD74 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104HH20 ,  5F004AA08 ,  5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB17 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004FA08 ,  5F033HH28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW05 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21 ,  5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-196623
  
• 特開平3-196623