特許

J-GLOBAL ID：200903072893615950

半導体装置とその製造方法

発明者： 臼井 正則 ,  杉山 隆英 ,  森本 淳 ,  金原 啓道
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358551
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193281
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】トレンチ上側コーナー部に位置する半導体層を覆うコーナー絶縁膜の絶縁破壊が生じにくく、しかも、ゲート部における接触抵抗が低い半導体装置を実現する。【解決手段】半導体層120には、複数の第1トレンチ144a及びこれらにつながっている第2トレンチ144bが形成されている。ゲート絶縁膜130aは、第1トレンチ144aの壁面に沿って形成されている。第1コーナー絶縁膜130bは、第1トレンチ144aの上側コーナー部R1に位置する半導体層120を覆っている。第2コーナー絶縁膜130dは、第2トレンチ144bの上側コーナー部R2に位置する半導体層120を覆っている。ゲート電極138aは、第1トレンチ144a内に形成されている。ゲート引出し部138bは、第2トレンチ144b内に形成されているとともに、複数のゲート電極138aにつながっている。ゲート引出し部138bには、配線層140が接触している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の第1トレンチ及びこれらにつながっている第2トレンチが形成された半導体層と、 第1トレンチの壁面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、 第1トレンチの上側コーナー部に位置する半導体層を覆う第1コーナー絶縁膜と、 第2トレンチの上側コーナー部に位置する半導体層を覆う第2コーナー絶縁膜と、 第1トレンチ内に形成された部位を有するとともに、第1トレンチの上側コーナー部に位置する半導体層からゲート絶縁膜の厚さより離れた位置にあるゲート電極と、 第2トレンチ内に形成された部位を有するとともに、第2トレンチの上側コーナー部に位置する半導体層からゲート絶縁膜の厚さより離れた位置にあり、かつ、複数のゲート電極につながっている第1導電層を備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

FI (9件)：

H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652N ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F

Fターム (13件)：

5F048AA00 ,  5F048AA05 ,  5F048AA09 ,  5F048BA05 ,  5F048BA07 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CB07