特許
J-GLOBAL ID：200903072896487635
赤外線検出装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248102
公開番号（公開出願番号）：特開平9-089655
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】オフセット電圧を低減したサーモパイルを用いる赤外線検出装置を提供する。【解決手段】半導体基板7の上面に薄膜8が形成されている。また、半導体基板7を貫通して第1及び第2の凹部9a,9bが設けられており、第1及び第2の薄膜部8a,8bは、夫々第1及び第2の凹部9a,9bの天井部を構成している。また、ゼーベック効果を有する複数個の第1及び第2の金属1,2が薄膜8上に形成されている。ここで、第1の金属1の一端は、第1の薄膜部8a上の温接点3で第2の金属2と接合されており、その他端は、第2の薄膜部8b上の冷接点4で別の第2の金属2と接合されている。而して、複数個の第1及び第2の金属1,2は、S字状に蛇行するように、互い違いに直列に接続され、サーモパイル10が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上面に形成された薄膜と、前記薄膜の一部を構成し互いに熱的に絶縁された第1及び第2の薄膜部と、前記薄膜上に熱電対がアレイ状に直列に形成されたサーモパイルと、前記第1の薄膜部上に形成された前記サーモパイルの温接点と、前記第2の薄膜部上に形成された前記サーモパイルの冷接点とを備えて成ることを特徴とする赤外線検出装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01J 1/02 C
, H01L 35/32 A
