特許

J-GLOBAL ID：200903072896842842

撮像装置

発明者： 大野 俊和 ,  能勢 悠吾 ,  清水 竜 ,  有本 護 ,  大山 達史
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-197220
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170866
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】感度を高くするとともに、シャッタの高速化を行うことが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】この撮像装置(CMOSイメージセンサ)は、光電変換機能を有するフォトダイオード部4と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域5と、フォトダイオード部4により生成されたキャリアを増倍(増加)するための電子増倍部3bと、電子増倍部3bの表面上を覆うように形成されている遮光膜26とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

光電変換機能を有するキャリア生成部と、 電荷信号を電圧に変換するための電圧変換部と、 前記キャリア生成部により生成されたキャリアを増加するための電荷増加部と、 前記電荷増加部の少なくとも一部を覆うように形成された遮光膜とを備える、撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/107

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H01L31/10 B

Fターム (27件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA33 ,  4M118FA34 ,  4M118FA39 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CX54 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31 ,  5C024GY39 ,  5F049MA08 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-332509   出願人：三洋電機株式会社