特許
J-GLOBAL ID：200903072897957210
半導体素子製造用ガス供給装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318170
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201762
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 反応室に各種ガスを均一に供給しうる半導体素子製造装置のガス供給装置を提供する。【構成】 ガス供給装置のシャワーヘッド320は、複数個の第1孔300と中央の第2孔400とを有する第1多孔板500と、中央にそれぞれ第3孔800を有する複数個の凸部からなる第1凸部と前記凸部の周辺部に連続的に形成され第4孔900が形成された凹部を含む第2凸部とを有する第2多孔板600とを具備する。第1ガス供給管100からのガスは第1多孔板500の第1孔300および第2多孔板600の第3孔800を通じて反応室に噴射され、第2ガス供給管200からのガスは第1多孔板500の第2孔400を通じ第2多孔板600の全面に形成された凹部の溝700および第4孔900を通じて反応室に噴射される。これにより、反応室内でガスの均一な分布を得ることができ、基板に成長される薄膜厚さの均一性を向上させうる。
請求項（抜粋）：
半導体素子薄膜製造用ガス供給装置であって、全面にかけて形成された複数個の第1孔と中央に形成された第2孔とを有する第1多孔板と、中央部の全面に規則的に形成された複数個の凸部からなる第1凸部と前記第1凸部の各凸部の周辺部に連続的に形成された凹部および前記第1凸部の周縁部に形成された凸部を含む第2凸部とを有する第2多孔板とを具備することを特徴とする半導体素子製造用ガス供給装置。
IPC (2件)：
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