特許

J-GLOBAL ID：200903072899104044

圧電デバイスとその製造方法

発明者： 大西 慶治 ,  杉本 雅人 ,  大土 哲郎 ,  守時 克典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284353
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111374
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 高周波化に伴い、圧電素子の取り扱いが困難であり、圧電デバイスが大型化するという課題を有していた。【解決手段】 少なくとも2つ以上の平面的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向する2つの主面に形成された励振電極と、少なくとも2つ以上の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置され、前記圧電素子と接着固定された支持基板とを備えたことを特徴とする圧電デバイス。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つ以上の平面的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向する2つの主面に形成された励振電極と、少なくとも2つ以上の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置され、前記圧電素子と接着固定された支持基板とを備えたことを特徴とする圧電デバイス。

IPC (6件)：

H03H 9/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/54

FI (6件)：

H03H 9/02 J ,  H03H 3/02 C ,  H03H 9/17 G ,  H03H 9/54 Z ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z

Fターム (12件)：

5J108AA07 ,  5J108BB01 ,  5J108CC04 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108EE18 ,  5J108GG03 ,  5J108GG16 ,  5J108GG17 ,  5J108JJ01 ,  5J108KK03 ,  5J108MM04