特許
J-GLOBAL ID：200903072902143650
半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164967
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190526
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの表面から不要な金属不純物およびパ-ティクルを除去する半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置を提供する。【構成】 純水を供給ライン151 を通して洗浄槽に供給して半導体ウエハ11を該洗浄槽12に収容した後、上記純水がオ-バ-フロ-して順次置換されるように、第1の洗浄液を供給ライン152 を通して上記洗浄槽12に供給して第1の洗浄処理を行い、次いで、上記第1の洗浄液がオ-バ-フロ-して順次置換され、上記第1の洗浄液を含む混合液が生成されるように、第2の洗浄液を供給ライン153 を通して上記洗浄槽12に供給して第2の洗浄処理を行い、半導体ウエハの表面から不要な金属不純物およびパ-ティクルを除去する。
請求項（抜粋）：
純水を供給ラインを通して洗浄槽に供給する工程と、半導体ウエハを上記洗浄槽に収容する工程と、上記純水がオ-バ-フロ-して順次置換されるように、第1の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第1の洗浄処理を行う工程と、上記第1の洗浄液がオ-バ-フロ-して順次置換され、上記第1の洗浄液を含む混合液が形成されるように、第2の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第2の洗浄処理を行う工程とを具備することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
