ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346041
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173841
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】第1の導電型の炭化ケイ素(SiC)コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第2の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第1の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ(BJT)を提供する。【解決手段】本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第1の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。また、エピタキシャル炭化ケイ素保護層が、0デバイスバイアスで完全空乏状態になるように構成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

バイポーラ接合トランジスタであって、第1の導電型の炭化ケイ素コレクタ層と、前記炭化ケイ素コレクタ層上の、前記第1の導電型と異なる、第2の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層と、前記炭化ケイ素コレクタ層から離れた位置にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の前記第1の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサと、前記炭化ケイ素エミッタメサの外側にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部の上の、前記第1の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層とを備えることを特徴とするバイポーラ接合トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (1件)：

H01L29/72 Z

Fターム (8件)：

5F003BA11 , 5F003BA13 , 5F003BA91 , 5F003BA92 , 5F003BE90 , 5F003BH05 , 5F003BH07 , 5F003BM01

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第4,945,394号明細書
米国特許第6,218,254号明細書
米国特許第5,011,549号明細書

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