特許
J-GLOBAL ID：200903072904811471
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-199325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045283
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】メッキ法による金配線の形成方法において、この配線とこれを覆う絶縁膜との密着性を改善して剥れを生じにくくすることにより、信頼性を高め,製造時の歩留りを高め,多層の配線を容易にする。【構成】マスク膜105を用いた選択メッキ法により金からなる第1メッキ膜106を形成し、さらに第1メッキ膜105上に例えばクロムのように絶縁膜との密着瀬のよい金属からなる第2メッキ膜107aを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた第1絶縁膜上に、導電性を有する単層,もしけは複層の膜から構成される第1導電膜を形成し、前記第1導電膜上に第2導電膜を形成し、前記第2導電膜上に選択的にマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をメッキマスクとした金の電解,もしくは無電解メッキにより露出した前記第2導電膜上に第1メッキ膜を形成し、前記マスク膜をメッキマスクとした電解,もしくは無電解メッキにより前記第1メッキ膜上に選択的に第2メッキ膜を形成する工程と、前記マスク膜を除去し、露出した部分の前記第2導電膜を除去し、露出した部分の前記第1導電膜を除去し、前記第1導電膜,前記第2導電膜,前記第1メッキ膜,および前記第2メッキ膜から構成された配線を形成する工程と、全面に第2絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/288
, C23C 14/35
, C25D 3/48
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
