特許

J-GLOBAL ID：200903072905965006

バンプ付きチップの実装構造および実装方法

発明者： 永福 秀喜
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132080
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321671
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 チップのアルミ電極が半田によって腐食されないバンプ付きチップの実装構造および実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チップのアルミ電極2上にワイヤボンディングにより銅バンプ3を形成し、表面に生じた酸化膜3aのうち、銅バンプの先端部Aの酸化膜3aを除去する。この酸化膜3aの除去の方法として、銅バンプ3の先端部Aをプラズマエッチングする方法や、先端部Aのみをフラックスや振動が付与された溶融半田に浸漬する方法などを用いる。この先端部Aのみの酸化膜3aを除去した銅バンプ3を基板25の電極26に半田付けすると、半田ぬれ性が悪い酸化膜3aが残留した銅バンプ3の基部Bには半田7がはい上がらない、アルミ電極2に半田7が接触することがなく、したがってアルミ電極2の半田7による腐食が発生しない。

請求項（抜粋）：

チップのアルミ電極上にワイヤボンディングにより銅バンプを形成し、この銅バンプを基板の電極に半田付けして成るバンプ付きチップの実装構造であって、前記銅バンプの表面に生じた酸化膜のうち先端部の酸化膜を除去し、酸化膜の除去部を基板の電極に半田付けすることを特徴とするバンプ付きチップの実装構造。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50 ,  H05K 3/34 501 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/50 N ,  H05K 3/34 501 Z ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 A