特許
J-GLOBAL ID：200903072908261239
マトリクス回路駆動装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334597
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142577
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 駆動回路部用薄膜トランジスタのオン電流を十分に高くすると共に、マトリクス部用薄膜トランジスタのカットオフ電流を十分に低くする。【構成】 LDD構造の薄膜トランジスタの場合、オン電流I<SB>on</SB>は低濃度不純物ソース・ドレイン領域の不純物濃度が増大するに従って大きくなり、不純物濃度Yのところで最大点近傍に達する。一方、カットオフ電流I<SB>off</SB>は低濃度不純物ソース・ドレイン領域の不純物濃度がX(X<Y)のところでほぼ最小となり、これよりも不純物濃度が増大しても減少しても漸次大きくなる。そこで、周辺回路部用薄膜トランジスタの低濃度不純物ソース・ドレイン領域の不純物濃度がYとなるようにすると共に、マトリクス回路部用薄膜トランジスタの低濃度不純物ソース・ドレイン領域の不純物濃度がXとなるようにする。
請求項（抜粋）：
マトリクス回路部とこのマトリクス回路部を駆動する周辺回路部とを電界効果型の薄膜トランジスタで形成したマトリクス回路駆動装置において、前記マトリクス回路部と前記周辺回路部に形成する薄膜トランジスタをそれぞれドレイン領域が高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を有するLDD構造とし、かつ前記周辺回路部に形成される薄膜トランジスタの低濃度不純物領域の不純物濃度を前記マトリクス回路部に形成される薄膜トランジスタの低濃度不純物領域の不純物濃度よりも大きくしたことを特徴とするマトリクス回路駆動装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, H01L 27/12
, H01L 29/784
