特許

J-GLOBAL ID：200903072912893169

照射野形成装置

発明者： 小菅 新一
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 山田 恒光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092647
公開番号（公開出願番号）：特開2003-294893
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子ビームの患部への照射効率を向上させ、且つ、装置内の機器の劣化が生じる虞のない照射野形成装置を提供する。【解決手段】 X方向偏向用のワブラ電磁石1と、ワブラ電磁石1の下流側に配設されたY方向偏向用のワブラ電磁石3と、ワブラ電磁石3の下流側に配設されると共に、中心側に厚肉部4aが形成され、厚肉部4aの外周側に薄肉部4bが形成された散乱体4を設ける。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを所定の方向へ偏向させる第一の電磁石と荷電粒子ビームの偏向方向が前記第一の電磁石に対し90度異なるよう配設された第二の電磁石とに、90度位相の異なった交流電流を印加することにより回転磁場を発生させて荷電粒子ビームを回転させ、該荷電粒子ビームを散乱体に通すことにより荷電粒子ビームの径を広げて所定径の照射野を形成させるようにした照射野形成装置であって、前記散乱体は、中心側で第一、第二の電磁石により形成される荷電粒子ビームのGauss分布のピークが低く且つ裾部の広がりが大きくなるような厚さに形成され、中心の外側で前記荷電粒子ビームのGauss分布のピークが高く且つ裾部の広がりが小さくなるよう、前記中心側よりも薄く形成されていることを特徴とする照射野形成装置。

IPC (4件)：

G21K 1/10 ,  A61N 5/10 ,  G21K 1/093 ,  G21K 5/04

FI (4件)：

G21K 1/10 S ,  A61N 5/10 J ,  G21K 1/093 Z ,  G21K 5/04 A

Fターム (4件)：

4C082AC05 ,  4C082AE01 ,  4C082AG13 ,  4C082AG35