特許

J-GLOBAL ID：200903072916355269

半導体装置及びその製造方法

発明者： 木村 雅俊 ,  東谷 恵市 ,  大野 多喜夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317941
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163317
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造の半導体装置において、層間絶縁膜からのメタル配線へのストレスを低くしてコンタクトホール内のメタルの隆起の発生の防止を図る。【解決手段】 下地とする層間絶縁膜7の表面上にメタル配線2を形成し、ストレス値の高いTEOS酸化膜5、SOG膜3及びストレス値の低いTEOS酸化膜6を層間絶縁膜として積層する。この後、コンタクトホール4を開孔する。

請求項（抜粋）：

多層配線構造により形成される半導体装置であって、下地とする絶縁膜の上に設けられたメタル配線と、前記メタル配線を覆うように形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜の上に形成された第3の層間絶縁膜と、前記メタル配線表面上において前記第1、第2、第3の層間絶縁膜に開孔したコンタクトホールとを備え、前記第1、第3の層間絶縁膜は、それぞれストレス値が異なることを特徴とする、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/95