特許
J-GLOBAL ID：200903072916770355

ドライエッチング方法および装置

発明者：
林 重徳

林 重徳 について

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青井 信雄

青井 信雄 について

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山中 通成

山中 通成 について

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久保田 正文

久保田 正文 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204107
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035836
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 チャンバ壁クリーニングの面から考えたプロセスフローおよびプラズマケミストリ制御の面から考えたプラズマ生成条件の改善手段を提供する。【解決手段】 真空に排気された試料処理室に、処理ガスを導入するとともに高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、試料処理室内の被加工試料表面をプラズマに曝すことによってエッチング処理する処理工程を含み、処理工程を一定の処理時間毎に中断して複数の処理工程に分割し、試料処理室を酸素を含んだプラズマに曝すことによってクリーニングする工程を複数の処理工程間に挿入する。これにより試料処理室内壁の堆積物を一定レベル以下にし、プラズマケミストリ変化の影響を排除することができる。このため、エッチング深さと残留レジスト厚みに所定の関係が得られ、エッチング時間経過と共に生じる内壁状態の変化を排除した高精度のエッチングが実現できる。
請求項（抜粋）：
真空に排気された試料処理室に、処理ガスを導入するとともに高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記試料処理室内の被加工試料表面を前記プラズマに曝すことによってエッチング処理する処理工程を含むドライエッチング方法であって、前記処理工程を一定の処理時間毎に中断して複数の処理工程に分割し、前記試料処理室を酸素を含んだプラズマに曝すことによってクリーニングする工程を前記複数の処理工程間に挿入することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Fターム (18件)：
4K057DA01 ,  4K057DB20 ,  4K057DD05 ,  4K057DE06 ,  4K057DE20 ,  4K057DM05 ,  4K057DM33 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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