特許

J-GLOBAL ID：200903072917132964

光照射処理方法及び装置

発明者： 武富 義尚 ,  森田 幸弘 ,  西谷 幹彦 ,  澁谷 宗裕 ,  寺内 正治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110738
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 TFTガラス基板の反り、変形を発生させることなく、光照射処理による高効率アニール処理、活性化処理を実現すること。【解決手段】 メタルハライドランプ1による第1の光照射領域2と、ハロゲンランプ3による第2の光照射領域4の中にTFT基板5を配置し、これらの光照射領域とTFT基板の相対的な移動走査によって光照射処理を行う。メタルハライドランプによるポリシリコンの選択的加熱とハロゲンランプによるTFT基板全体の加熱とを組み合わせることにより、冷却勾配の不整合性、基板と薄膜のバイメタル効果を排除し、反り、変形を防止する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの光照射手段によって形成される光照射領域と、前記光照射領域内に配される被処理基板とが相対的に移動することを特徴とする光照射処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/26 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/26 G ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/78 627 F

Fターム (12件)：

5F110AA23 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ30