絶縁膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184440
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051110
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】シリコン以外の半導体基板に形成される電子素子用の、基板との界面及び絶縁膜中のトラップ準位密度の小さい絶縁膜の形成方法を提供する。特に炭化珪素やダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体材料を用いた高温パワーデバイス用MOS素子に有効な、絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン以外の半導体の清浄基板上に第一のプロセスによりシリコン薄膜を形成する。次に第2のプロセスにより上記シリコン薄膜を酸化することにより、トラップ準位密度の低い酸化珪素絶縁膜をシリコン以外の半導体基板上に形成する。

請求項（抜粋）：