特許
J-GLOBAL ID：200903072921391435
サセプター
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108493
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283351
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハに欠陥を生じさせることなく、かつサセプターを長寿命にする。【構成】 カーボンを基材とするサセプター本体1の少なくともウェーハ収容凹部3の表面に、CVD法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨SiC膜5,7が2層以上積層されていることにより、各層のSiC膜の結晶の成長や異方性を抑制し、SiC膜全体の厚さが厚くなっても凹部やマイクロクラック等の欠陥を少なくする。
請求項（抜粋）：
カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、CVD法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨SiC膜が2層以上積層されていることを特徴とするサセプター。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/32
, H01L 21/68
