特許

J-GLOBAL ID：200903072922781768

高電圧用半導体素子

発明者： ムハメッド アイマン シビブ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337604
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211897
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 表面電界の凹凸を改良し、セル間ピッチを減少した高電圧用半導体素子を提供する。【構成】 半導体基板12と、前記半導体基板12下に形成された第1導電材料層34と、前記基板12上に形成される第1導電型の半導体材料の本体14と、開口29を有する第2導電材料層28と、前記本体14内に形成され、P型の領域16と、前記領域16は、前記主表面に伸びるチャネル部分18を有し、前記チャネル部分18は、前記開口29の外側に形成され、領域16内に形成されるP型の第1不純物領域22と、前記領域16内に形成され、N型のソース領域20,21と、前記第2導電性材料層28の上に形成された絶縁材料層30と、前記絶縁材料層30の上に形成され、前記第1不純物領域22と前記ソース領域20,21と導通状態に形成された第3導電材料32とからなる。

請求項（抜粋）：

(A)第1導電型(N)で第1ドーピング濃度の半導体基板(12)と、(B)前記半導体基板(12)と導通状態に形成された第1導電材料層(34)と、(C)前記基板(12)上に形成され、主表面(15)を規定する第1導電型で、前記第1ドーピング濃度以下の濃度の半導体材料の本体(14)と、(D)前記主表面(15)上に形成され、そこに開口(29)を規定する第2導電材料層(28)と、(E)前記本体(14)内に形成され、第2導電型(P)で、第2ドーピング濃度の領域(16)と、前記領域(16)は、前記主表面に伸びるチャネル部分(18)を有し、前記チャネル部分(18)は、前記開口(29)の外側に形成され、前記第2導電材料層(28)とゲート酸化物層(26)を介して対向しており、(F)第2導電型(P)で、前記領域(16)よりも高濃度のドーピング濃度を有し、前記領域(16)内に形成され、前記主表面(15)から所定の深さと表面領域を有する第1不純物領域(22)と、(G)前記領域(16)内に形成され、第1導電型(N)で、前記本体(14)のドーピング濃度以上のドーピング濃度で、所定の深さを有するソース領域(20または21)と、前記ソース領域(20または21)は、前記チャネル部分(18)と接触する部分を有し、(H)前記第2導電性材料層(28)の上に形成された絶縁材料層(30)と、(I)前記絶縁材料層(30)の上に形成され、前記第1不純物領域(22)と前記ソース領域(20または21)と導通状態に形成された第3導電材料(32)とからなることを特徴とする高電圧用半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-128576
  
• 特開平3-034468
  
• 特開昭64-048464
  
• 特開平1-265569