特許
J-GLOBAL ID:200903072931286788
光ビーム露光方法及び光ビーム露光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-070457
公開番号(公開出願番号):特開平5-234838
出願日: 1992年02月19日
公開日(公表日): 1993年09月10日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 最小ビーム径が小さくサブミクロンオーダの超微細パターンを形成することができ、また大きなパターンを形成する場合でもそのエッジ部の断面形状を垂直に近く形成することができる光ビーム露光方法及び光ビーム露光装置。【構成】 レーザ光源1は、プリズム2により波長λ=363.8nm のみの光が発振するように調節されている。全反射ミラー3,プリズム2,レーザ光源1,及びレーザ光源1の光放出側に配置されたハーフミラー4が光軸上にこの順で配置され、光共振器を形成している。この光共振器内の絞り5により基本発振モードであるTEM00モード以外の高次空間モードの発振を防止している。レーザ光源1から発振された光ビームは、ビームスプリッタ6により主ビームM及び2本の副ビームS1 ,S2 に分割され夫々のビーム間の位置関係が調整される。これらは集光レンズ15により集光され、可動ステージ17上に固定された半導体基板16表面上で合成される。
請求項(抜粋):
可干渉光のビームを露光対象物に照射して、これを露光する光ビーム露光方法において、前記ビームとして主ビーム及び副ビームを用い、前記主ビームと前記副ビームとの光位相を異ならせ、前記主ビーム及び前記副ビームを合成して露光することを特徴とする光ビーム露光方法。
IPC (2件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
引用特許:
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