特許

J-GLOBAL ID：200903072933535742

基板から汚染物を取り除く方法

発明者： モンティ エイ ダグラス
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010641
公開番号（公開出願番号）：特開平8-252549
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】 単一の工程で基板から汚染物を取り除く工程を開示する。【解決手段】 清浄されるべき基板は、高密度の相ガスと、その臨界圧以上の圧力で接触する。汚染物および基板と接触する高密度の流体の温度を選択的に変化することによって、汚染物および基板と接触する高密度の相ガスの密度が変化する。汚染物および基板は、高密度の相ガスにより吸光されない照射で繰り返して照射される。照射により汚染物及び/又は基板の温度が上昇し、汚染物と接触する高密度の相ガスにおける温度変化および結果として生じる密度変化に選択的に影響する。密度の変化により、微粒子の汚染物、特に1/2ミクロンよりも小さい汚染物を基板の表面から移動させる。高密度の流体のこの密度変動は、異なる溶剤を用いる必要なく、基板から様々な汚染物を取り除く。

請求項（抜粋）：

基板から汚染物を取り除く方法であって、(a)前記汚染物を含む前記基板を清浄容器に配置し;(b)前記清浄容器において、高密度の相ガスの臨界圧以上の圧力で、前記汚染物を含む前記基板を、前記高密度の相ガスに接触し;(c)一つ以上の前記汚染物を取り除くのに充分な時間にわたって、前記基板および前記汚染物の温度を変化することによって前記基板および前記汚染物に接触する前記高密度の相ガスの密度を変動するステップを有する方法。

IPC (4件)：

B08B 7/00 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

B08B 7/00 ,  G03F 1/08 X ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/30 503 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-123604