特許

J-GLOBAL ID：200903072934940870

浅いトレンチ分離のための方法及び装置

発明者： リ-チュン シア ,  シュリニヴァス ネマニ ,  エリー イー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154706
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 厚さの均一性、良好なギャップフィル性能、高密度、低水分を有する誘電膜を形成する高温堆積、加熱及び効率のよい洗浄のシステム、方法及び装置の提供。【解決手段】 約100〜760torrの圧力のチャンバ内でシリコン、酸素及びドーパントの反応から少なくとも500°Cの温度のヒータ上の基板上に、ドーパント原子を含むドープ酸化シリコン膜を堆積させる工程;及び前記ドーパント原子を前記基板内に拡散させるために前記ドープ酸化シリコン膜を加熱して前記超薄ドープ領域を形成する工程を含むチャンバ内で基板の超薄ドープ領域を形成する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

チャンバ内でヒータ上の基板に絶縁層を堆積させる方法であって、前記ヒータを前記チャンバ内で少なくとも約500°Cの温度に加熱するステップ;前記チャンバを約10torr〜760torrの圧力に加圧するステップ;及び酸素及びシリコンを前記チャンバへ導入して前記温度の前記ヒータ上の前記基板に酸化シリコン膜を堆積させるステップ:を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-042536
  
• 特開平2-172254
  
• 特開昭59-029438
  
• 特開昭62-046543
  
• 特表平4-505035