レーザを利用した半導体チップ抗折強度の向上法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324359
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124176
出願日： 1998年10月10日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】半導体チップ裏面の研磨キズを軽減し、抗折強度を向上させる。【解決手段】半導体チップ裏面にレーザを照射し、部分的に溶融させて研磨キズを軽減する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの裏面にチップ表面をわずかに溶融させる強度のレーザを走査させ、半導体チップ抗折強度を向上させる方法

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 , B23K 26/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 P , B23K 26/00 E

Fターム (2件)：

4E068AH01 , 4E068DA10

前のページに戻る