受光素子アレイ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322009
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144278
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】受光素子アレイのサイズおよびピッチを小さくすることができ、かつ、隣接受光素子へのクロストークを低減できるできる受光素子アレイを提供する。【解決手段】半導体層を積層してなる受光素子を分離エッチングしたメサ型構造の受光素子アレイであり、n-InP基板30上に、n-InP層32,i-InGaAs層(光吸収層)34,p-InP層(窓層)36が積層され、InGaAs層26とInP層38とをエッチングして素子間を分離して、絶縁膜38を被覆し、各受光素子のp-InP層36上にはp型オーミック電極40を、n-InP基板30の裏面には共通のn型オーミック電極42が形成されている。

請求項（抜粋）：

pinフォトダイオードよりなる受光素子を多数配列した受光素子アレイにおいて、前記受光素子は、n型半導体基板上に、n型半導体層,i型半導体層,p型半導体層の順で積層されてなり、前記受光素子間は前記p型半導体層,前記i型半導体層を除去した分離溝で分離されており、前記p型半導体層上に各受光素子毎のp型電極が設けられ、前記n型半導体基板の裏面には、共通のn型電極が設けられていることを特徴とする受光素子アレイ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H01L 31/10 A

Fターム (20件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118CA05 , 4M118CB01 , 4M118EA14 , 4M118FB08 , 4M118FB24 , 5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA04 , 5F049NA20 , 5F049NB05 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049QA02 , 5F049RA04 , 5F049SE05 , 5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-060562
特開平2-058878

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