特許

J-GLOBAL ID：200903072942108709

半導体レーザ

発明者： 瀧口 治久 ,  猪口 和彦 ,  工藤 裕章 ,  菅原 聰 ,  種谷 元隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245079
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097575
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【構成】ストライプ溝152を有する電流狭窄光閉込め手段150が、レーザ光透過層107及び109に挟まれたレーザ光吸収層108を有している半導体レーザ。ストライプ溝内外に於ける基本水平横モードの等価屈折率差及び光閉込め係数が、各層107、108及び109の混晶比及び厚さにより調整されている。【効果】電流閉込め機能が改善され、モード損失が低減される。非点収差が小さくなる。ストライプ溝152の深さが低減される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された積層構造と、該積層構造上に形成された電流光閉込め手段と、を備えた半導体レーザであって、該電流光閉込め手段は、レーザ光透過層及び該レーザ光透過層上に形成されたレーザ光吸収層を有する2個以上の多層閉込め部分と、該2個以上の閉込め部分の各々を空間的に分離する1個以上のストライプ溝とを有しており、該多層閉込め部分に於ける基本水平横モードに関する等価屈折率は、該ストライプ溝に於ける該基本水平横モードの等価屈折率よりも小さく設定され、該積層構造は活性層を有しており、該活性層は、該電流光閉込め手段の該ストライプ溝の下方に位置するストライプ溝内部分と、該多層閉込め部分の下方に位置するストライプ溝外部分とを有しており、ガイドモード光に関する該ストライプ溝外部分における光閉込め係数は、アンチガイドモード光に関する該ストライプ溝外部分における光閉込め係数よりも大きい半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-126880
  
• 特開平4-218993
  
• 特開平3-250685