特許
J-GLOBAL ID：200903072947816507

Cu系導体合金材料とそのエッチング方法、及びそ れを用いた磁気ヘッド

発明者：
木下 啓藏

木下 啓藏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211661
公開番号（公開出願番号）：特開平7-062471
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、低温で反応性イオンエッチングが可能なCu系薄膜導体合金材料、及びそのエッチング方法を提供し、さらに該材料を用いた信頼性、スループットの高い磁性薄膜装置を提供することにある。【構成】 Cu中のAl濃度と反応性イオンエッチング可能な温度の間には図1のような関係がある。Alの添加によりエッチング時の温度を低減でき、剥離可能なフォトレジストをマスクにして塩素系ガスによる反応性イオンエッチングが可能となる。従って、プロセスのドライ化、低温化が可能となり、薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果ヘッドの製造時のスループット、信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
Cuに対して、B,C,N,Al,Si,P,S,Ga,Ge,As,Se,In,Sn,Sb,Te,Bi,Po,Be,Ti,V,Zr,Nb,Mo,Tc,Hf,Ta,W,Re,Pa,Uの内の少なくとも一種を添加したCu系薄膜導体合金材料であって、Cuに対する添加元素の添加量の下限(wn [at%])として、各々の添加元素の添加量と、該添加元素の塩化物の沸点(Tb [K])との間に、数式1が成立し、Cuに対する添加元素の添加量の上限として、純Cuと同一の結晶構造を少なくとも一部有する範囲で、添加元素を添加することを特徴とするCu系薄膜導体合金材料。【数1】
IPC (7件)：
C22C 9/00 ,  C23F 1/12 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01B 1/02 ,  H05K 1/09 ,  H01B 5/14
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭48-087396
  • 特開平1-215986
  • 特開昭60-080111

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