特許
J-GLOBAL ID：200903072948834673
削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青山 葆
, 河宮 治
, 山田 卓二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-507429
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503086
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
半導体ウエハ上のエピタキシャル層、及び半導体ウエハ中の削剥領域を形成するための装置及び方法。一つのチャンバが、エピタキシャル層及び削剥領域の双方の形成に使用される。削剥領域は、ウエハを環状のサポートで、ウエハ周辺のエッジ部分のみをサポートと接触させて支持しながら、チャンバ中でウエハを加熱し続いて急冷することにより形成される。
請求項（抜粋）：
熱源及び環状のウエハサポートを有するチャンバ中でウエハを加熱及び冷却することにより削剥領域を形成する半導体ウエハの処理方法であって、
内部と、該内部に操作できるように接続された熱源と、該内部中に配置された環状のウエハサポートとを有するチャンバ中に半導体ウエハを配置する工程と、
少なくとも約1175°Cの温度に該チャンバ内部で該ウエハを加熱し、その後に、該ウエハが約850°Cより低い温度になるまで、少なくとも約10°C/秒の速度で該ウエハを冷却し、該冷却中において、該ウエハの周辺部分のみが該サポートと接触するように該環状サポート上に該ウエハを載せる工程とを含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/322 Y
, H01L21/26 F
