特許

J-GLOBAL ID：200903072949361248

半導体装置

発明者： 橋本 昭二 ,  細川 秀記 ,  吉田 友幸 ,  光嶋 康一 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134920
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の配線層のエレクトロマイグレーション耐性の向上を図るとともに配線のパターニング精度向上を図る。【解決手段】 3〜6wt%のBを含有するBPSG膜13にコンタクトホール12を形成し、このBPSG膜13及びコンタクトホール12上に膜厚30nm以上の第1層Ti膜14を堆積する。また、このTi膜14上にTiN膜15及びTi膜16を順次堆積する。その後、Ti膜16上に、高温スパッタ法によってAl合金膜17を堆積する。これにより、(111)配向性が高く、その表面平滑性に優れたAl合金配線層が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたチタン層と、前記チタン層上に形成された窒化チタン層と、前記窒化チタン層上に形成されたアルミ配線層とを有する半導体装置であって、前記層間絶縁膜は、ボロンを3〜6wt%含むシリケイトガラスによって構成され、前記チタン層は膜厚30nm以上に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 N