特許

J-GLOBAL ID：200903072954848457

薄膜形成用材料

発明者： 林 博 光 ,  尾 野 直 紀
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084431
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273622
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 比較的大型の焼結体を製造することのできるCP法、鋳込み法により作製が可能であり、しかも1300°C以上の高温条件での焼結することができる、組成のばらつきのなく、かつ、高密度のSnO2系焼結体からなる薄膜形成用材料を提供すること。【解決手段】 Ga、Bi、Nb、Mn、Fe、Ni、CoおよびTaからなる群から選ばれた少なくとも1種を含有し、その添加量の合計が酸化物換算で20重量%以下であるSnO2系焼結体からなり、その焼結密度が4.0g/cm3以上であることを特徴とする薄膜形成用材料。

請求項（抜粋）：

Ga、Bi、Nb、Mn、Fe、Ni、CoおよびTaからなる群から選ばれた少なくとも1種を含有し、その添加量の合計が酸化物換算で20重量%以下であるSnO2系焼結体からなり、その焼結密度が4.0g/cm3以上であることを特徴とする、薄膜形成用材料。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  G09F 9/30 337

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  G09F 9/30 337

Fターム (12件)：

4K029BA47 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA46 ,  5C094AA55 ,  5C094BA31 ,  5C094EA05 ,  5C094GB01 ,  5C094JA20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公平5-042763
  
• 特開昭60-065760
  
• 特開平4-228466
  
• 特開昭50-018505
  

審査官引用 (4件)

• 特公平5-042763
  
• 特開昭60-065760
  
• 特開平4-228466
  
• 特開昭50-018505